在栅刻蚀工艺发展初期，工程师需要明白刻蚀和光刻条件对最终栅侧壁轮廓的影响。工程师们经常希望能在同一片硅片上进行连续实验，而不是将硅片废弃。AFM可以在CD扫描模式下进行非破坏性的横截面轮廓扫描，方便工程师快速地判断多晶硅轮廓和优化刻蚀或光刻工艺条件。 栅侧墙
栅侧墙是栅刻蚀后淀积在侧壁的氮化物或氧化物薄膜，为源漏注入提供阻挡。由于AFM特有的图形识别能力，它可以在连续的工艺步骤中精确的将针头放置于同一片硅片的同一个点，测量者运用AFM扫描栅刻蚀后和稍后的栅侧墙刻蚀后的同一处栅线，从而得到每一步工艺的CD和轮廓数据(图8)。量测的差值很方便的给出了介质侧墙的厚度和轮廓，并具有绝对精确度。因此，我们采用AFM沿栅侧墙测量薄膜厚度，以确保沿垂直的侧墙覆盖的薄膜具有连续性，这种方法可以引伸到后道铜晶仔或沟槽或通孔侧壁的原子层淀积阻挡层厚度的测量。
结论
65纳米及以下的集成微电子器件的尺寸测量方法是业界挑战之一。AFM为半导体(逻辑和存储器)制造中关键前道工艺监控提供了在线和参考测量方法的有益的解决方案。AFM可以扫描电路的任意区域和各种材料，对数据进行解释时不需要任何建模和臆测。在某些情况下，AFM在横截面轮廓和形状分析方面可以取代X-SEM、TEM或Dual Beam。AFM可以在多片硅片的多个点对一个特征进行多线的同时扫描，从而搜集足够的统计数据进行特征与特征间、芯片与芯片间、硅片与硅片间、以及批次与批次间的评价、它为在线工艺控制提供了直接的芯片内测量。
由于它的绝对准确性，AFM可以被用作极好的参考标准来校正其它尺寸测量方法，从而建立起追踪链和已知的不确定的预算。CD AFM经常被用作有口皆碑的CD测量方法以保持和在线光学散射测量和CD SEM之间的校准，并且可以加快散射测量数据库的发展。以AFM为基础的参考测量系统使得世界范围内的不同工厂之间的测量机台匹配得以实现，确保Fab1的30纳米确实等同于Fab2的30纳米。
特征空间大小是对AFM的一个限制，只有当空间足够大并使得探针可以伸入进行扫描时AFM才能够工作，当沟槽空间窄于探针直径时AFM无法进行扫描。随着AFM探针技术的进一步发展，已经有能够测量窄空间和很大纵宽比的更小针头出现。
上一页 1 2 3 4下一页